内容摘要：本报告是战略与国际问题研究中心所翻译的关于日本对高性能半导体制造设备进行出口管制的三份文件。三份文件由日本经济产业省于2023年5月23日发布，并于2023年7月23日正式生效。它们共同概述了日本对高性能半导体制造设备的最新出口管制法规。这些法规规定了哪些类型的半导体制造设备需要获得许可证才能从日本合法出口。审查标准或是基于特定技术的用途，或是基于超出特定值阈的性能。
1 部分修订《指定物品与技术的部级条例》
随着国际安全形势的日益严峻，本条例依据《出口贸易管制令》附表1和《外汇令》附表的规定进行部分修订，决定将特定物品与技术列入出口管制的范围。新增受管制内容共23项，分为以下6类：清洁（3项）、沉积（成型薄膜，11项）、退火（热处理，1项）、光刻（曝光，4项）、蚀刻（化学去除，3项）和检查（1项）。
2 部分修订《指定货物与技术的部级条例》
新增受管制内容中，针对半导体制造设备的部分如下：半导体制造设备，属于沉积设备，适用于以下任何一种情况：(ⅰ) 旨在通过电镀沉积钴的装置；
(ⅱ) 化学气相沉积设备，其设计可使在通过双原子沉积法填充钴或钨的过程中，待填充金属的空隙或接缝的最大尺寸不超过3纳米；
(ⅲ) 用于在一个腔室中通过多重工艺沉积金属接触层的设备，并适用于以下所有情况（不包括适用于(ii)的情况）：
使用有机金属化合物沉积钨层，同时保持晶片基底温度高于100°C低于500°C的设备；
使用氢（包括氢与氮或氨的混合物）的等离子工艺；
(ⅳ) 半导体制造设备（“特定半导体制造设备”），用于在多个腔室或站中通过多道工序沉积薄膜，并在多道工序之间保持0.01帕或以下的真空或惰性环境（不包括适用于 (ii) 的工序），且通过以下所有工序沉积金属接触层：
使用氢气（包括氢气和氮气或氨气的混合物）的等离子体进行表面处理，同时将晶片的基底温度保持在高于100°C低于500°C的工艺；
使用氧气或臭氧的等离子体进行表面处理，同时将晶片的基底温度保持在高于40°C低于500°C的工艺；在保持晶片基底温度高于100°C低于500°C的情况下沉积钨层的工艺；
(ⅴ) 通过下列所有工艺（不包括适用于第(ii)项的工艺）设计的用于沉积金属接触层的特定半导体制造装置：利用远程等离子源和离子过滤器进行表面处理的工艺；使用有机金属化合物在铜上选择性沉积钴层的工艺；
(ⅵ) 用于工作功能金属的原子层沉积设备（指用于控制晶体管阈值电压的材料；下同），适用于以下所有情况：适用于以下任一情况的设备：Ⅰ有两种或两种以上金属来源，且为设计铝前驱物有一种或一种以上来源的设备；Ⅱ工作温度高于45°C的前驱物容器的设计装备；用于沉积工作功能金属的设备，适用于以下所有情况：Ⅰ碳化钛铝沉积设备；Ⅱ工作电压超过4.0电伏的设备；
(ⅶ) 通过下列所有工艺沉积金属接触层的特定半导体制造设备（不包括属于第(ii)项的设备）：
使用有机金属化合物沉积氮化钛或碳化钨层，同时保持晶片基底温度高于20°C低于500°C的工艺；
在压力大于0.1333帕小于13.33帕的条件下，通过溅射法沉积钴层，同时将晶片的基底温度保持在500°C以下的工艺；
在压力大于133.3帕小于13.33千帕的条件下，用有机金属化合物沉积钴层，同时将晶片的基底温度保持高于20°C低于500°C的工艺；
(ⅷ) 用以通过下列所有工艺形成铜线的特定半导体制造设备（不包括属于第(ii)项的设备：
在压力大于133.3帕小于13.33千帕的条件下使用有机金属化合物沉积钴或钌层，同时将晶片的基底温度保持在高于20°C低于500°C的工艺；
使用物理气相沉积法在压力大于0.1333帕小于13.33帕的条件下沉积铜层，同时将晶片的基底温度保持在500°C以下的工艺；
(ⅸ) 旨在利用有机金属化合物选择性沉积阻挡薄膜或衬垫的原子层沉积设备；
(ⅹ) 原子层沉积设备，旨在用钨或钴填充绝缘薄膜之间的空隙（仅限于深度与宽度之比超过五倍且宽度小于40纳米的空隙），从而在保持晶片基底温度低于500°C的情况下不会产生空隙（不包括属于第(ii)项的设备）。
除上述内容外，CSIS还对“低于0.01帕的真空或惰性气体环境中沉积一层金属的设备”、“利用有机金属化合物沉积一层钌”、“空间原子层沉积设备”等条款也做出了修订。
3 部分修订《出口贸易管制条例的适用》
3.1部分修订 《出口贸易管制条例实施细则 》
该部分主要涉及《货物部级条例》。部分新增内容如下：
1.《货物部级条例》第6条第17(n)项中的干蚀刻法。包括自由基（指开壳电子构型中具有未成对电子的原子、分子和离子）、离子、顺序反应和非顺序反应。
2.《货物部级条例》第6条第17(n)(1)项中硅锗与硅的蚀刻选择性比率。应使用锗浓度至少为30%的硅锗进行测量。
3.《货物部级条例》第6条第17(n)(2)项中各向异性干蚀刻法。包括使用射频脉冲激励等离子体、脉冲占空比激励等离子体、脉冲电压施加电极调制等离子体、等离子体与周期性气体注入和净化相结合、等离子体原子层蚀刻或等离子体亚原子层蚀刻进行的蚀刻。
4.《货物部级条例》第6条第17(p)、(q)(10)和(aa)项中的宽度。指最外层表面的宽度。
3.2部分修订《申请出口许可、服务交易许可、特定记录媒体出口许可等时应提交的文件及注意事项等》
修改内容如下：
1.《出口贸易管制令》附录1第5段至第13段中间一栏所列货物：(c)《出口贸易管制令》附表1第(7)段第(16)或(17)项所列货物适用于任一《货物部长条例》第6条第(17)(f)(4)或(k)至(ff)项或第(17-2)项。
2.《出口贸易管制令》附录表1第7段第(2)、(16)至(18)、(22)或(23)项所列货物，以及适用于第6条第(2)项的任何货物（仅限于微波设备或毫米波设备的部件，并使用氮化镓制成的基板或具有氮化镓外延层的基板）、 《货物部级条例》第(17)(f)(4)或(k)至(ff)项或第(17-2)项、第18项（仅限于使用氮化镓的基板）或第(22)至(24)项（仅限于使用氮化镓的基板）。
3.《外汇令》附表第(7)段第(1)项所列的适用于《货物部级条例》第19条第1款第(2)项的技术，并适用于以下任何一种情况：(b)适用于《货物部级条例》第6条第(17)(f)(4)或(k)至(ff)项或第(17-2)项的货物。
4.《外汇令》附表第(7)段第(1)项所列的适用于《货物部级条例》第19条第1款第(5)项的技术，并适用于以下任何一种情况：(b)适用于《货物部级条例》第6条第(17)(f)(4)或(k)至(ff)项或第(17-2)项的货物。
5.《外汇令》附表第(7)段第(2)项所列的适用于《货物部级条例》第19条第2款并适用于《货物部令》第6条第(17)(f)(4)或(k)至(ff)项的货物。除上述内容外，CSIS还对《一揽子许可处理指南》中的部分条例细则做了修改。
发布时间｜2023年7月
文章来源｜战略与国际问题研究中心
原文标题｜CSIS Translation: Updated Japanese Export Controls on High-Performance Semiconductor Manufacturing Equipment (Three Documents)
原文地址｜https://www.csis.org/analysis/csis-translation-updated-japanese-export-controls-high-performance-semiconductor（共22页）
Last modified: 2023年 8月 3日
